Samsung начала производство модулей памяти на 512 Гб для смартфонов
Компания Samsung приступила к массовому производству новых накопителей для мобильных устройств, наделенных емкостью 512 Гб. Это модули eUFS, которые также характеризуются высокой скоростью работы.
Новые накопители Samsung основаны на 64- слойные 512-гигабитные чипы VNAND, которые получили вдвое большую плотность текущих модулей eUFS на 48 слоев, что позволяет вдвое увеличить емкость при сохранении текущих физических габаритов. Говоря простыми словами, новые модули памяти Samsung займут столько же места на системной плате смартфона, что и текущие чипы, но смогут вместить в два раза больше информации — 512 гигабайтов.
По официальным данным, скорость такой памяти составляет 860 и 255 Мб/с при чтении и записи соответственно, а параметр IOPS достигает 42 000 и 40 000 единиц. Обычные карты microSD, для сравнения, работают в 400 раз медленнее. По предварительным данным, первым делом Samsung установит новые чипы собственного производства в свои новые флагманские смартфоны S9 и S9+, анонс которых ожидается уже в следующем месяце, а затем их встроят и в бизнес-фаблет Note 9, готовящийся к показу летом 2018 года.
