Samsung начала производство модулей памяти DDR4 с использованием технологии 3D TSV
28 августа 2014, 10:14
Samsung объявила о старте массового производства первых в индустрии модулей памяти DDR4 объёмом 64 Гбайт, в которых применяется технология 3D TSV. Компания отмечает, что новые высокопроизводительные модули с высокой плотностью будут играть ключевую роль в поддержке распространения корпоративных серверов и облачных приложений, а также в развитии решений для дата-центров.
Новые модули включают в себя 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых состоит из четырёх 4-гигабитных кристаллов DDR4 DRAM. Чипы отличаются низким уровнем энергопотребления и производятся по 20-нм техпроцессу.
Для создания модулей в кристаллах толщиной всего в несколько десятков микрометров проделываются сотни отверстий. Затем они соединяются при помощи электродов, проведённых сквозь эти отверстия. В результате новые модули получаются вдвое быстрее по сравнению с обычными, а уровень энергопотребления при этом снижается вдвое. В будущем Samsung надеется объединять больше четырёх кристаллов DDR4 для создания модулей с более высокой плотностью.
Samsung заявляет, что массовое производство модулей 3D TSV символизирует начало нового этапа в истории технологий памяти.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор пяти блоков питания мощностью 1200 Вт и выше. До недавнего времени покупка блока питания с четырёхзначным показателем мощности больше подходила для хвастовства перед сообществом энтузиастов, поскольку едва ли находились задачи для работы на такой мощности. Впрочем, всё изменилось с началом охоты за биткоинами и альткоинами. Подробнее об этом читайте в статье «Обзор пяти блоков питания мощностью 1200 Вт и выше».
Популярные материалы:
