Samsung начала производство 256-гигабитной памяти 3D V-NAND11.08.2015 14:07

Samsung начала производство 256-гигабитной памяти 3D V-NAND 11 августа 2015, 14:01 Компания Samsung Electronics приступила к производству 48-слойных микросхем флэш-памяти 3D V-NAND емкостью 256 Гбит. Новые чипы предназначены для использования в твердотельных накопителях, включая многотерабайтные SSD. В третьем поколении многоуровневой памяти 3D V-NAND применяется трехмерная структура ячеек на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF). За счет увеличения числа слоев производителю удалось разместить на одном кристалле свыше 85,3 млрд ячеек, в каждой из которых может храниться 3 бита информации. Это позволило удвоить емкость микросхем. Новое решение также обеспечивает 40% прирост производительности и потребляет на 30% меньше энергии, чем 32-слойные чипы предыдущего поколения.В Samsung уверены, что представленные чипы помогут увеличить продажи SSD-накопителей корпоративного класса и устройств для центров обработки данных. Недавно производитель также выпустил потребительские модели серий 850 PRO и 850 EVO объемом целых 2 Тбайт. Ранее редакторы THG.ru сравнили твердотельный накопитель Samsung SM951-NVMe с AHCI-версией и моделью серии 850 Pro, оснащенной интерфейсом SATA. Samsung SM951-NVMe может стать самым быстрым SSD 2015 года. Низкая задержка обеспечивает очень высокую скорость в рамках настольного ПК, а высокая пропускная способность позволяет переносить большие файлы как никогда быстро. Подробнее об этом читайте в статье «Samsung SM951-NVMe против AHCI и 850 Pro SATA».Читайте также: Виджет от SocialMart Копирование и распространение информации, упомянутой на страницах THG.ru возможно только при наличии у вас письменного разрешения руководства издания. По вопросам использования наших статей обращайтесь по электронной почте. THG.ru («Русский Tom’s Hardware Guide») входит в международную сеть изданий Best of Media Виджет от SocialMart