Samsung начала массовый выпуск 3-битной флэш-памяти 3D V-NAND
09 октября 2014, 19:39
Компания Samsung Electronics приступила к массовому производству второго поколения 3-битной флэш-памяти 3D Vertical NAND с вертикальной компоновкой ячеек, которая, как ожидается, будет использоваться в новой серии твердотельных накопителей 850 EVO.
По мнению представителей компании, технология хранения данных по 3 бита на ячейку позволит ускорить процесс перехода с традиционных жёстких дисков на новые SSD. Благодаря трехмерной структуре упаковки чипа существенно увеличивается производительность и плотность флэш-памяти. Это способствует снижению стоимости микросхем, а также увеличению ёмкости твердотельных накопителей.В Samsung смогли объединить в одном кристалле 32 слоя вертикально расположенных 3-битных ячеек. Разработанная инженерами южнокорейского гиганта технология обеспечивает возможность хранения до 128 Гбит (16 Гбайт) информации на одном чипе.
Когда в продажу поступят первые SSD на базе 3-битной флэш-памяти 3D V-NAND, производитель не сообщил.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор SSD-накопителя Samsung 845DC EVO. С выпуском данной модели производитель подтверждает стремление производить ориентированные на энтузиастов успешные SSD-накопители, а также внедрять их в системы корпоративного класса. В ходе данного теста мы собираемся выявить преимущества нового продукта Samsung. Подробнее об этом читайте в статье «Обзор SSD Samsung 845DC EVO: трёхбитная MLC-память в накопителе корпоративного класса».
Читайте также:
