Samsung начала массовое производство чипов памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит
Микросхемы GDDR6 построены на базе 10-нанометрового техпроцесса и имеют плотность 16 гигабит (2 гигабайта). Сообщается, что в сравнении с предыдущим поколением — 8-гигабитной GDDR5 — новая память обеспечивает в два раза более высокую скорость передачи информации: у GDDR6 скорость передачи информации на контакт составляет 18 Гбит/с, суммарная скорость — 72 ГБ/с. Новые микросхемы также потребляют примерно на 35 процентов меньше энергии, чем GDDR5: рабочее напряжение у GDDR6 — 1,35 В, а у памяти предыдущего поколения — 1,55 В.
Микросхемы GDDR6, как сообщает Samsung, предназначены для использования в видеокартах нового поколения, а также в автономных системах и системах искусственного интеллекта.
