Samsung Galaxy S21 получит самую быструю память в истории
Ранее Samsung объявила о планах массового производства 16-гигабитных чипов оперативной памяти LPDDR5 с использованием 10-нанометрового технологического процесса третьего поколения класса 1z.
Компания подтвердила, что она открыла новую производственную линию на своем предприятии в Пхёнтхэке в Корее, чтобы начать массовое производство новой оперативной памяти. По словам исполнительного вице-президента компании по продуктам и технологиям DRAM Джунг Бэ Ли (Jung-bae Lee), данная память откроет новые двери для разработчиков и производителей смартфонов.
Новая память, по словам Samsung, будет предлагать самую высокую скорость и максимальную в истории ёмкость. Samsung заявляет, что новая память LPDDR5 позволит передавать данные со скоростью 6400 Мбит/с, что на 16% быстрее, чем паять LPDDR5, установленная в Galaxy Note20.
Корпус новой памяти будет на 30% тоньше, а это означает, что она занимает меньше места в смартфона. Ожидается, что такая память дебютирует в Samsung Galaxy S21 (S30), а также появится во флагманских смартфонах других производителей. Samsung уже подтвердила, что не будет ограничиваться использованием данной памяти только в своих телефонах.
© iXBT
