Samsung Electronics презентует трехмерную NAND флэш-память
Компания Samsung Electronics прекрасно известна российским пользователям: ее мобильные устройства отличаются высочайшим качеством исполнения, долговечностью и надежностью. Отлично идут на смартфонах от Samsung моба игры и многочисленные приложения. Сегодня компания готова к производству первой в своей области NAND флэш-памяти. Особенность новой технологии в том, что упаковка памяти обладает трехмерной структурой, а все ячейки расположены вертикально. Это позволяет энергозависимой памяти преодолеть все ограничения, которые ранее отмечались при масштабируемости.
Преимущества 3D V-NAND
Представители компании Samsung Electronics утверждают, что их новая разработка будет очень полезна практически каждому человеку, который работает с прогрессивными технологиями. Независимо от того, нравятся ли пользователю игры про драконов или же он использует свой девайс исключительно для работы, чип Samsung V-NAND поможет снизить расходы на приобретение устройства. Технология 3D Charge Trap Flash обеспечит высокую надежность при работе, и в то же время, позволит уменьшить стоимость чипов флэш-памяти.
V-NAND — технология, которая решила множество проблем, с которым сталкивались разработчики при создании Flash-памяти. С ее появлением производство чипов NAND-памяти выходит на новый уровень. Чтобы реализовать идею по созданию уникальной технологии, Samsung Electronics предварительно обновила технологию 3D Charge Trap Flash, которая была создана усилиями инженерной группы в 2006 году. Новая технология способствует увеличению скорости памяти и, что немаловажно, повышению ее надежности практически в 5 раз. Это отличные показатели, благодаря которым многие пользователи смогут решить массу технических проблем.
© PCNEWS
