Samsung Electronics представит 4-терабайтный SSD 850 Series уже в 2016 году
Южнокорейская компания Samsung Electronics рассказала о том, что в следующем году представит пользователям 4-терабайтный накопитель 850 Series. Новинка будет основываться на NAND-чипах нового поколения, благодаря которым и стало возможным увеличение емкости.
Как известно, в августе на специальном мероприятии Samsung, посвященном флеш-памяти, азиатский разработчик анонсировал третье поколение своей технологии V-nand, которая дает возможность задействовать уже не 32-слойные, а 48-слойные стеки памяти NAND flash. В составе коммерческих устройство новинка увидит свет уже в начале 2016 года.
Именно в составе SSD-накопителей 850 Pro и 850 Evo 2,5-дюймового формата с интерфейсом SATA данная функция найдет свое первое применение. В настоящее время максимальный объем накопителя потребительского класса от Samsung составляет 2 Тбайт – это модель Samsung 850 Evo 2 Тбайт.
С третьим поколением технологии V-nand увеличится и емкость твердотельных накопителей Samsung формата M.2. Максимальный объем таких дисков будет составлять уже не 512 Гбайт, а 1 Тбайт. Отметим, что на данный тип памяти перейдут и накопители корпоративного сегмента PM863 и SM863.
Виджет от SocialMart
Источник
