Samsung анонсировала старт массового производства 8-гигабитной памяти DDR4 по 20-нм технологии
22 октября 2014, 00:32
Samsung Electronics объявила о старте массового производства 8-гигабитной памяти DDR4, а также 32-гигабитных модулей. Оба продукта будут производиться с применением 20-нм технорм, а ориентированы они будут на использование в серверах корпоративного класса.
С новой 8-гигабитной DDR4 Samsung сможет предложить полную линейку оперативной памяти выполненной по 20-нм техпроцессу, в том числе и 4-гигабитные микросхемы DDR3 для ПК и 6-гигабитные LPDDR3 для мобильных устройств.
В начале месяца уже стартовало производство модулей объёмом 32 Гбайт, в которых и нашли своё применение новые 8-гигабитные чипы. Сообщается, что скорость передачи данных на контакт у модулей достигает 2400 Мбит/с, что на 29% больше, чем у памяти DDR3.
Новый 8-гигабитный чип DDR4 позволит также выпускать модули объёмом до 128 Гбайт для серверных систем. Кроме того, для работы новых микросхем и модулей требуется напряжение 1,2 вольта.
Ранее редакция THG.ru опубликовала обзор наборов памяти DDR3. Восемь гигабайт на DIMM для «топовых» сборных ПК — уже привычная картина, даже несмотря на то, что модули меньшей плотности обеспечивают более высокую скорость передачи данных и более низкие задержки. Мы протестировали пять наборов на 32 Гбайт, и попытались вытянуть из них максимум производительности. Подробнее об этом читайте в статье «Память DDR3 объёмом 32 Гбайт: обзор и тест пяти разгоняемых наборов».
Читайте также:
