Samsung начнет производство DDR2 по техпроцессу 60 нм в этом году
Корпорация Samsung объявила о скором начале массового производства чипов памяти DDR2 по техпроцессу 60 нм. Компания ожидает, что производство по более точному техпроцессу будет налажено до конца этого года.
Samsung заявляет, что боле точный техпроцесс позволит увеличить скорость чипов памяти на 20%, тогда как емкость возрастет в два раза, с 1 Гбит до 2 Гбит по сравнению с существующими 80 нм чипами. Компания отмечает, что эти новые чипы позолят компании укрепить свое влияние на рынке высокопроизводительной памяти.
Чипы памяти 2 Гбит будут использоваться для создания модулей FBDIMM емкостью 8 Гбайт, модулей RDIMM емкостью 8 Гбайт, модулей UDIMM емкостью 4 Гбайт и модулей SODIMM емкостью 4 Гбайт.
Кроме того, благодаря более точному техпроцессу, снизиться энергопотребление. Так, компания отмечает, что модуль памяти емкостью 8 Гбайт, который состоит из 36 чипов емкостью 2 Гбит, будет потреблять на 30% меньше энергии, чем такой же модуль, но состоящий из 72 чипов емкостью 1 Гбит.
