Samsung начала производство 64-Гбит чипов MLC NAND с интерфейсом Toggle DDR2

Корейский электронный гигант Samsung Electronics начал производство первых в индустрии 64-Гбит чипов флеш-памяти NAND на основе многоуровневых ячеек памяти (MLC), которые используют новейший интерфейс Toggle DDR2. Его скорость передачи данных достигает впечатляющих 400 Мбит/с. Микросхемы нового поколения создаются в соответствии с требованиями норм техпроцесса 20-нм класса, что позволяет снизить уровень энергопотребления и добиться увеличения плотности записи на чип. Кроме того, переход на использование интерфейса Toggle DDR2 позволяет добиться трехкратного увеличения пропускной способности чипов флеш-памяти в сравнении с образцами, использующими интерфейс Toggle DDR 1.0 (133 Мбит/с), и десятикратного увеличения  пропускной способности в сравнении с широко распространенными сейчас чипами SDR NAND (40 Мбит/с).  Исполнительный вице-президент отдела по продажам памяти и маркетингу компании Samsung Ванхун Хонг (Wanhoon Hong), комментируя начало производства 64 Гбит чипов,...

©  3DNews