Samsung разработала и проверила первые06.02.2009 12:06

40-нм модули памяти

На днях компания Samsung Semiconductor, подразделение Samsung Electronics, сообщила о разработке и проверке первого в мире 40-нм чипа и модуля памяти DRAM: компонент 1 Гбит DDR2 и, соответственно, модуль DDR2 SODIMM объемом 1 Гбайт. Оба продукта уже сертифицированы по программе соответствия платформе Intel для использования с наборами мобильной логики Intel GM45 Express.

Переход на новый техпроцесс позволил снизить энергопотребление в сравнении с 50-нм чипами того же объема на 30 %. Так же 40-нм чипы, как сообщается в пресс-релизе, увеличивают процент годного выхода на 60 %.

Компания отмечает, что переход на 40-нм техпроцесс является очень важным шагом вперед, на пути к новым технологиям оперативной памяти, таких как DDR4.

Источник: Fudzilla