Samsung начала производство 40-нм чипов DDR3
Компания Samsung сообщила в своем пресс-релизе о начале массового производства 2-гигабитных чипов памяти типа DDR3 с соблюдением 40-нм норм. Новый техпроцесс позволяет добиться существенного снижения производственных затрат и увеличить потенциальную производительность.
Модули памяти, построенные на новых чипах могут работать на частоте 1,6 ГГц при напряжении всего 1,35 В и позволяют создавать относительно дешевые 4-Гб, 6-Гб и 8-Гб наборы памяти.
По прогнозам аналитического агентства iSuppli, 2-Гбит чипы DDR3 будут занимать до 82 % рынка памяти DDR3 в 2012 году, а широкое распространение получат в 2010 году.
Источник: X-bit labs
