Renesas выпустила микросхемы памяти, не боящиеся радиации
Компания Renesas Electronics сообщила прессе о выпуске не совсем обычных полупроводниковых устройств — защищенных от радиации чипов памяти SRAM. Устройства предназначены для применения в промышленности, медицине, авиации, космосе, (в оружии?) и так далее.
Для повышения радиационной стойкости был увеличен технологический процесс относительно «бытовых» вариантов: в данном случае микросхемы (RMLV0816B и RMLV0808B) производятся по нормам 110 нм и имеют плотность хранения информации в 8 Мбит.
Новинки от Renesas с «грубым» техпроцессом оснащаются дополнительной электроникой для продвинутой коррекции ошибок и сбоев, могущих произойти в работе транзисторов в экстремальных условиях. Интересно, что благодаря примененным техникам, данные девайсы обладают радиационной стойкостью, сравнимой с таковой у аналогов, произведенных по нормам 150 нм.
В планах на ближайшее будущее производство аналогичной памяти, но уже плотностью 16 Мбит.
Renesas Electronics Introduces High-Reliability Advanced Low-Power SRAM Products | Renesas Electronics Europe — Dusseldorf, December 11, 2014 — Renesas Electronics, a premier provider of advanced semiconductor solutions, today introduced 5 new product versions in the RMLV0816B and RMLV0808B series of Advanced Low-Power SRAM (Advanced LP SRAM), the company’s flagship SRAM (static random access memory) devices. The new memory devices have a density of 8 megabits (Mb) and utilize a fine fabrication process technology with a circuit linewidth of 110 nanometers (nm).
Tweet
