Qualcomm готовит процессоры Snapdragon 828 и 830 на техпроцессе 10-нм FinFET
Мы уже знаем, что Qualcomm на смену процессору MSM98996, известному также как Snapdragon 820, готовит улучшенную модель Snapdragon 823. Теперь же новые данные говорят о том, что до конца года производитель представит также чипы Snapdragon 828 и 830, использующие в основе 10-нанометровый техпроцесс FinFET.
По данным источника, новинки основываются на ядрах Kryo 200, которые получили серьезные улучшения относительно Kryo 100. Более тонкий техпроцесс позволил снизить уровень энергопотребления и уменьшить размеры транзисторов. К сожалению, количество ядер в CPU не уточняется.
Snapdragon 830 или MSM 8998 будет включать в себя графику Adreno 540, данных о которой пока что мало, однако она должна существенно улучшить возможности видеоподсистемы. Среди прочего новинка получит гигабитный модем, способный совершать выгрузку на скорости 150 Мбит/с. Сообщается о совместимости с памятью LPDDR 4X, отображении картинки 4K при 60 fps, а также поддержке протокола SMB1351, более известного как Qualcomm Quick Charge.
Snapdragon 828 — это 10-нм чип FinFET с графикой Adreno 519 и модемом Qualcomm X12 (600/150 Мбит/с). Если Snapdragon 830 рассматривается в качестве замены Snapdragon 820, то 828-ой, скорее всего, займет место Snapdragon 808 или даже Snapdragon 810.
Модель Snapdragon 823 или MSM 8996 PRO найдет свое применение в смартфоне Samsung Galaxy Note 6 в третьем квартале текущего года. Snapdragon 828 и 830 могут получить официальный статус уже в четвертом квартале 2016 года, а первые устройства на их основе должны появиться конце первого или начале второго квартала 2017 года.
Виджет от SocialMart
