Производители NAND внедряют 120/128-слойную память 3D NAND
По информации DigiTimes многие производители стали ускорять переход своих производств на выпуск 120/128-слойной памяти 3D NAND, чтобы начать её массовое производство в 2020 году.
В марте этого года SK Hynix начала опытное производство 96-слойной 4D NAND памяти, а Toshiba и Western Digital уже вынашивают планы по введению 128-слойной технологии памяти типа TLC. Это позволит увеличить плотность данных, но при этом избежать проблем, связанных с запуском памяти QLC.
Микросхема памяти от SK Hynix
Решение о внедрении новой технологии производства NAND появилось на фоне продолжающегося кризиса перепроизводства и переполненности рынка продуктами на базе хорошо отработанной 64-слойной технологии. Применив новую технологию можно перейти к меньшим объёмам производства, сократив избыток памяти на рынке и подняв на неё цену, одновременно снизив себестоимость.
