По слухам, TSMC и Samsung столкнулись с проблемами при освоении 3-нм технологии
Одним из любимых занятий ресурса DigiTimes остаётся публикация слухов о технологических проблемах TSMC, которые та впоследствии благополучно опровергает. В последний день уходящего года источник остался верен традиции, заявив о TSMC столкнулась с некими проблемами на пути освоения 3-нм технологии, которую компания рассчитывает освоить в массовом производстве к третьему кварталу 2022 года.
Досталось и компании Samsung Electronics. Её тайваньские СМИ тоже упоминают в своём дайджесте, указывая на наличие у корейского производителя иных проблем, но тоже имеющих отношение к переходу на технологические нормы 3 нм. Напомним, что в отличие от TSMC, которая готова сохранить в рамках 3-нм технологии традиционную структуру транзистора FinFET, компания Samsung рассчитывает внедрить транзистор с кольцевым затвором (GAA) в рамках 3-нм техпроцесса. Вполне возможно, что на этом пути у корейских специалистов возникли некоторые затруднения, но это не означает, что они являются непреодолимыми.
