Память HBM3E производства Micron будет использоваться в ускорителях NVIDIA H200
Сертификационные испытания уже завершаются.
Корейская компания SK hynix до сих пор сохраняла монополию на поставки своей памяти типа HBM3 для нужд NVIDIA, но Samsung и Micron тоже прилагали усилия к попаданию в число её поставщиков, и в квартальной отчётной презентации представители последней из компаний заявили, что сейчас микросхемы HBM3E данной марки проходят последние этапы квалификационных тестов, после чего будут готовы к использованию в составе ускорителей вычислений NVIDIA H200 и GH200. Кроме того, память LPDDR5X производства Micron уже используется в комбинации с процессорами NVIDIA Grace, так что на буме систем искусственного интеллекта компания рассчитывает хорошо заработать.
Источник изображения: Micron Technology
По сути, в ёмкостном выражении к 2025 году память типа HBM различных поколений должна будет занимать в производственной программе Micron такую же долю, как и вся прочая DRAM вместе взятая. К массовому производству HBM3E компания приступит в начале следующего года, а всего к осени того же года она рассчитывает выручить от поставок продукции этого класса сотни миллионов долларов США. По словам представителей Micron, предлагаемые ею микросхемы HBM3E обладают на 10% более высоким быстродействием и на 30% более низким энергопотреблением в сравнении с изделиями конкурентов.
