Очередная революция в EUV-литографии откладывается до 2025 года
Действие так называемого «закона Мура» долгое время поддерживалось с использованием лазеров с длиной волны 193 нм, но переход на EUV-литографию обеспечил увеличение разрешающей способности литографического оборудования за счёт уменьшения длины волны лазера до 13,5 нм. Коэффициент преломления, тоже определяющий характеристики сканеров, при этом снизился с 1,35 до 0,35, ухудшив показатели. Как отмечает Seeking Alpha, компания ASML собиралась частично компенсировать это за счёт внедрения EUV-технологии с повышенным коэффициентом преломления (0,55).
Внедрить массовое производство полупроводниковых компонентов с использованием EUV-литографии второго поколения ASML планировала силами клиентов к 2023 году. Ещё в январе стало известно, что теперь сроки смещаются до 2025–2026 годов. Пока клиентам ASML придётся компенсировать задержку увеличением количества фотомасок, а это приведёт как к удорожанию продукции, так и к удлинению производственного цикла. Собственно говоря, первое поколение EUV-литографии тоже пришло на рынок с большой задержкой, так что участникам рынка не придётся привыкать. Даже когда новый вариант EUV будет внедрён в массовом производстве, предпосылок к снижению затрат он не принесёт — стоимость одного литографического сканера достигнет $300 млн. Окупать его приобретение придётся очень долго, и на себестоимости продукции это скажется очевидным образом.
