Новая память на наноэлементах позволит совершить скачок в емкости
Наноэлементы, используемые в устройствах памяти – не самая новая из современных идей, однако команда ученых из университета штата Пенсильвания не сомневается в том, что новая технология позволит совершить серьезный скачок через головы конкурентов. Обусловлено это тем, что новая технология позволит хранить данные, используя небинарные значения (0, 1 и 2) вместо бинарных (0 и 1), как бы шокирующе это ни звучало.
Как утверждают разработчики, данные принципы позволят очень и очень сильно увеличить плотность памяти при меньшем количестве наноэлементов по сравнению с традиционными бинарными накопителями; соответственно, значительно сократится и конечный размер устройств памяти. Конечно, данный материал только что покинул пределы лаборатории, почему на прилавках каких бы то ни было торговых точек устройства, построенные на его базе, появятся еще очень нескоро. И о стоимости подобных устройств пока, к сожалению, ни слова не сообщается.
