На заводе «Ангстрем-Т» освоена технология Trench MOSFET
Российское предприятие «Ангстрем-Т» сообщило об освоении современной технологии полупроводникового производства. Речь идет о технологии силовых транзисторов Trench MOSFET. В настоящий момент в России только «Ангстрем-Т» может выпускать транзисторы такого типа.
Транзисторы Trench MOSFET широко используются в электронной технике, будучи ключевыми компонентами преобразователей и регуляторов напряжения в цепях электропитания. Они качественно превосходят планарные силовые транзисторы, позволяя конструировать устройства с больше энергетической эффективностью, меньшей массой и габаритами. Рост рынка электроники и переход к электромобилям обуславливает стабильно растущий спрос на силовые транзисторы.
«Ангстрем-Т» располагает мощностями, на которых можно выпускать полупроводниковые изделия по топологическим нормам 250, 130 и 90 нм.
Комментировать
© iXBT
