Еще одно усовершенствование технологии MRAM
Спустя чуть более месяца после того, как немецкие ученые объявили о возможности существенного повышения производительности памяти MRAM, ученые-физики из японского университета Тохоку разработали методику, сообразно которой возможным становится управление магнитными доменами полупроводника посредством приложения электрического поля. Это позволит полностью избавиться от необходимости механически переориентировать магнитные элементы, вследствие чего потребление электричества значительно снизится по сравнению со всеми предыдущими решениями в данной области.
К сожалению, прототип этой системы до сих пор не изготовлен, однако потенциал ее значительно превзойдет любой из существующих на сегодняшний день аналогов, не исключая и такие же концептуальные разработки (в число которых входит и не менее революционная технология Racetrack Memory от IBM). А до тех пор мы будем вынуждены довольствоваться сегодняшними технологиями.
