Микросхемы DRAM тоже можно сделать многослойными
В этом убеждены южнокорейские производители оборудования для выпуска чипов памяти.
Для производителей памяти типа NAND увеличение плотности хранения данных за счёт наращивания количества слоёв давно стало реальностью, но теперь южнокорейский производитель оборудования для выпуска памяти Jusung Engineering, как отмечает The Elec, призывает аналогичным образом совершенствовать и микросхемы оперативной памяти типа DRAM. Транзисторы, по его словам, можно компоновать в несколько слоёв, тем самым увеличивая плотность хранения информации.
Источник изображения: The Elec
Jusung надеется разработать технологию нанесения слоёв транзисторов на атомарном уровне, которая позволит создавать многослойные микросхемы DRAM без применения дорогостоящих литографических сканеров класса EUV. В условиях массового производства это важное преимущество, поскольку производители памяти сохранят возможность использования оборудования для работы с DUV-литографией. В целом, необходимость уменьшать масштаб транзисторов при производстве микросхем памяти может отпасть при переходе на многослойную компоновку. Впрочем, специализированное оборудование, которое Jusung надеется выпускать для этих целей, производителям памяти всё равно понадобится.
