Micron спешит наладить выпуск 16-ярусной памяти типа HBM3E
По меньшей мере, чтобы не отставать от SK hynix.
Лидирующая на рынке HBM южнокорейская память свои 16-ярусные чипы типа HBM3E готовится поставить на конвейер в текущем полугодии, а самыми ёмкими из выпускаемых в данный момент для неё являются 12-ярусные HBM3E объёмом 36 Гбайт. Как отмечает сайт ETNews со ссылкой на осведомлённые источники, американская компания Micron Technology пытается в сжатые сроки наладить выпуск 16-ярусных микросхем HBM3E.
Источник изображения: Micron Technology
По крайней мере, уже сейчас Micron тестирует необходимое оборудование, и если оно подойдёт для выпуска 16-ярусных стеков HBM3E, закупки будут проведены в текущем полугодии. По всей видимости, во втором полугодии Micron сможет наладить выпуск соответствующих микросхем, если у неё не возникнет сопутствующих проблем. В конце прошлого года Micron располагала только 20% тех мощностей, на которых SK hynix или Samsung способны выпускать актуальные версии памяти HBM, но к концу текущего года может утроить соответствующие возможности. В 2026 году компания рассчитывает освоить выпуск HBM4, а к 2028 году наладить производство HBM4E.
