Micron изготовила 128-слойную память NAND
Компания Micron Technology сообщила, что смогла изготовит память 3D NAND 4-го поколения со 128 слоями.
Данная разработка открывает возможность изготовления более плотных продуктов уже в следующем году. В 4-м поколении 3D NAND компания Micron продолжает использовать конструкцию КМОП-под-массивом, однако применяет технологию заменяемого затвора вместо плавающего, которая используется уже несколько лет. Сейчас компания массово производит 96-слойную флэш-память 3D NAND с физическим слоем TLC, несмотря на готовность QLC памяти.
Пластины с чипами памяти Micron
Компания отмечает, что новая 128-слойная память будет применяться ограниченно и не достигнет тех уровней популярности, как 96-слойные чипы. В компании более сконцентрированы на эволюции, возможно, 5-м поколении 3D NAND, которое даст заметное снижение себестоимости, вызванное переходом к более тонкой технологии производства, а также использованием более новых технологий, наряду с заменяемым затвором. Однако это произойдёт лишь в 2021 финансовом году.
