Micron выпустила инженерные образцы памяти RLDRAM 3
Компания Micron Technology заявила о доступности первых инженерных образцов памяти RLDRAM третьего поколения (RLDRAM 3). RLDRAM 3 является технологией памяти с высокой пропускной способностью, которая обеспечивает более эффективную передачу информации в сети. Эта память нацелена на высокопроизводительные сетевые приложения, включая маршрутизаторы high-end-класса и концентраторы, предъявляющие высокие требования к производительности чтения/записи или полностью случайного доступа. Как отмечает Micron в своём пресс-релизе, RLDRAM 3 является идеальным выбором для 40- и 100-Гбит Ethernet-решений, буферизацией пакетов и таблиц соответствия. Кроме того, эта память отличается более высокими скоростными характеристиками, плотностью, низкой латентностью и потребляемой мощностью.Основными факторами, вызывающими рост требований к эффективности сетевой инфраструктуры и её подсистемы памяти, являются онлайн-сервисы, такие как IPTV и видео по запросу, мобильные приложения, облачные вычисления. RLDRAM 3 характеризуется установившейся скоростью передачи...© 3DNews
