Компания SK Hynix первой разработала микросхему памяти DRAM DDR5 плотностью 16 Гбит
Компания SK Hynix объявила о разработке первой в отрасли микросхемы памяти DRAM DDR5 плотностью 16 Гбит, соответствующей требованиям стандартов JEDEC. Для выпуска этих микросхем будет использоваться тот же техпроцесс 1Ynm, что и для представленных на днях микросхем DRAM DDR4 плотностью 8 Гбит.
К достоинствам DDR5 по сравнению с используемой сейчас памятью DDR4 относится более высокая скорость при меньшем потреблении энергии. Кроме того, с переходом на DDR5 повышается объем модулей памяти за счет увеличения числа банков.
Уменьшение энергопотребления на 30% достигается, в частности, за счет снижения напряжения питания с 1,2 В до 1,1 В. Микросхема поддерживает скорость передачи данных 5200 Мбит/с в расчете на линию, что примерно на 60% выше скорости 3200 Мбит/с, стандартизованной для памяти предыдущего поколения.
Компания SK Hynix уже предоставила крупному производителю чипсетов предназначенные для серверов и ПК модули RDIMM и UDIMM DDR5 с увеличенным с 16 до 32 числом банков.
По прогнозу IDC, спрос на DDR5 начнет расти в 2020 году. Уже в 2021 году доля DDR5 на рынке DRAM достигнет 25%, а в 2022 году — 44%.
Комментировать
© iXBT
