Компания CXMT заявила о достижении прорыва в области производства памяти ранее конкурентов
- CXMT планирует до конца года выпустить серверный чип памяти с конструкцией 4F².
- Президент компании Цао Канью заявил, что CXMT размещает транзисторы многослойно, используя вертикальное расположение затвора.
- После заявления акции Samsung и SK Hynix во вторник упали более чем на 7%, а Micron накануне закрылась с падением на 4%.
Почему это важно: По оценке аналитика Morningstar, успешное внедрение 4F² значительно улучшит конкурентоспособность CXMT.
Китайская компания Changxin Memory Technologies (CXMT), ведущий государственный производитель динамической памяти, заявила о достижении прорыва в технологии производства микросхем, над которой конкуренты, такие как Samsung Electronics, работали годами. Такое неподкреплённое заявление вызвало падение акций других и отражает агрессивное стремление КНР лидирующее положение в критически важном направлении. Об этом сообщает Bloomberg.
Офисное здание CXMT в городе Хэфэй, провинция Аньхой. Фото: CFOTO/Future Publishing/Getty Images
Президент CXMT Цао Канью в ходе отраслевой конференции в Шанхае заявил, что лидер китайского рынка памяти планирует выпустить новый тип чипа, который объединит большую вычислительную мощность в одном компоненте. Анонсированный продукт для серверов центров обработки данных будет иметь так называемую конструкцию 4F² и должен быть выпущен до конца года. Эти слова были подтверждены представителем компании.
Как отмечает Bloomberg, если CXMT удалось достичь порога 4F², это означает, что компания опередила южнокорейские Samsung и SK Hynix, несмотря на санкции США, запрещающие китайской фирме доступ к таким ресурсам, как высокопроизводительные литографические машины производства ASML Holding. Цао Канью не предоставил более подробной информации, однако его широко освещавшееся заявление способствовало обвалу акций мировых производителей микросхем.
По данным агентства, акции Samsung и SK Hynix упали более чем на 7% в Южной Корее во вторник, что оказало давление на более широкий индекс Kospi, после того как акции Micron Technology закрылись с падением на 4% накануне.
«Успешное и более раннее внедрение архитектуры 4F² в производство DRAM значительно улучшит конкурентоспособность CXMT по сравнению с конкурентами. Тем не менее, как лидеры рынка памяти, так и производители оборудования аналогично отмечают сложность этого технологического перехода, и мы по-прежнему ожидаем значительный временной разрыв между презентацией продукта CXMT на базе архитектуры 4F2 и его коммерциализацией при приемлемом уровне выхода годной продукции», — отметила Цзин Цзе Ю, аналитик Morningstar.
Как сообщает Bloomberg, существующий в отрасли по производству полупроводниковой продукции стандарт 6F² обозначает площадь поверхности, в 6 раз превышающую квадрат «размера элемента» чипа: базовую ширину линии между транзисторами. Южнокорейские компании Samsung и SK Hynix изучают способы уменьшения этого значения до 4F², теоретически размещая те же ячейки на меньшей площади для повышения эффективности.
Глава CXMT Цао Канью заявил, что компания меняет способ размещения транзисторов путем их многослойной компоновки. Так называемый подход с вертикальным расположением затвора должен уменьшить утечку и другие побочные эффекты — проблему, давно связанную с попытками более крупных конкурентов уменьшить размеры транзисторов сверх стандарта 6F².
Bloomberg отмечает, что если такое решение сработает, новая архитектура станет очередным примером инновационных обходных путей, которые китайские компании, от Huawei до DeepSeek, разрабатывают для преодоления ограничений, введённых Соединёнными Штатами в сфере технологий.
