Ключевые компоненты твердотельного накопителя 311C-Y созданы и изготовлены в Китае
Компания Goke Microelectronics на днях сообщила о подписании соглашения о стратегическом сотрудничестве Yangtze Memory. Обе компании — китайские. Одна разрабатывает интегральные микросхемы, включая контроллеры SSD, а вторая производит флеш-память собственной разработки. Показательно, что на подписании договора был представлен совместный продукт — твердотельный накопитель 311C-Y, ключевые компоненты которого созданы и изготовлены в Китае.
YMTC приступает к выпуску 128-слойной флеш-памяти 3D NAND
Говоря точнее, в этом накопителе используется двухъядерный контроллер GK2302, созданный специалистами Goke на основе IP-ядра собственной разработки, и 96-слойная флеш-память TLC 3D NAND производства Yangtze Memory, построенная на фирменной архитектуре XTracking 1.0.
Накопитель с интерфейсом SATA 6 Гбит/с демонстрирует обычную для таких устройств скорость последовательного чтения 560 МБ/с и скорость последовательной записи 480 МБ/с. Производительность на операциях чтения и записи с произвольным доступом достигает 78 000 IOPS и 86 000 IOPS соответственно.
Компания Goke Microelectronics также анонсировала новое поколение накопителей на контроллере GK2302 V200, в которых будет использоваться 128-слойная флеш-память QLC 3D NAND производства Yangtze Memory.
Продажи SSD серии 311C-Y должны начаться в июне. Хотя цены пока не разглашаются, ожидается, что эти накопители будут очень конкурентоспособными.
© iXBT
