Китай разработал GAA-транзисторы для производства передовых чипов с помощью DUV
Китайская академия наук (CAS) представила архитектуру транзисторов Gate-All-Around (GAA) с применением DUV-литографии (литография в глубоком ультрафиолете). Разработка может помочь китайской полупроводниковой отрасли выпустить новое поколение чипов без доступа к современным EUV-сканерам, поставки которых ограничены экспортным контролем.
Изображение сгенерировано GrokGAA-транзисторы считаются следующим этапом развития после FinFET. В такой конструкции затвор окружает проводящий канал со всех сторон, что позволяет точнее управлять током, снижать утечки и повышать энергоэффективность при уменьшении размеров элементов чипа.
Главная особенность разработки — использование DUV-литографии вместо EUV. Хотя DUV остается более старой технологией, ее возможности можно расширять с помощью иммерсионной литографии и многократного формирования рисунка. Недостаток такого подхода — значительно большее число производственных операций (и, значит, более высокая стоимость и сложность изготовления).
При этом сами разработчики и отраслевые эксперты подчеркивают важную деталь: новая архитектура не означает, что Китай получил полноценный 3-нанометровый техпроцесс на DUV. Речь идет лишь о возможности приблизиться к характеристикам более современных технологий по отдельным параметрам.
Основное ограничение остается прежним. Создание современных чипов зависит не только от транзисторов, но и от формирования микроскопических контактов и металлических соединений между миллиардами элементов. Именно эти этапы считаются одним из самых сложных препятствий для производства передовых микросхем с использованием DUV.
Тем не менее, новая конструкция позволяет увеличить расстояние между отдельными элементами транзистора без заметной потери характеристик. В перспективе это может снизить высоту логических ячеек и повысить плотность размещения транзисторов.
Параллельно китайские компании ищут и другие пути обхода ограничений литографии. В частности, Huawei развивает технологию LogicFolding с вертикальным размещением логических схем, которая увеличивает вычислительную плотность за счет нескольких слоев кремния.
© iXBT
