Китай разогнал электроны до 2,2 ГэВ в новом гигантском «супермикроскопе»
- 20 сентября в научном центре Хэфэя на 192-метровом линейном ускорителе HALF получили первый пучок электронов проектной энергии 2,2 ГэВ.
- Яркость и когерентность мягкого рентгеновского излучения новой установки более чем в 100 раз превысят показатели синхротронов третьего поколения.
- Следующим этапом проекта станет настройка инжекции электронов в накопительное кольцо и вывод комплекса на стабильный режим работы.
Почему это важно: Установка позволит проводить эксперименты с повышенной точностью для изучения структуры материалов, высокотемпературной сверхпроводимости, аккумуляторов и биомедицины.
В Китае успешно получили первый электронный пучок на линейном ускорителе HALF — новом синхротронном источнике излучения четвертого поколения. Испытание прошло 20 сентября в научном центре Хэфэя в провинции Аньхой и стало одним из ключевых этапов строительства установки.
Изображение сгенерировано GeminiHALF (Hefei Advanced Light Facility) — синхротронный источник с энергией 2,2 ГэВ, построенный на основе накопительного кольца с дифракционным пределом. Такие установки можно назвать гигантскими «супермикроскопами»: они позволяют ученым исследовать структуру и свойства вещества на микроскопическом уровне.
Во время испытаний электронная пушка сформировала пучок, который прошел через линейный ускоритель длиной около 192 метров и был разогнан до проектной энергии 2,2 ГэВ.
Линейный ускоритель — один из ключевых элементов всей установки. Именно сформированный им электронный пучок впоследствии станет источником синхротронного излучения. От его качества, стабильности и надежности зависит работа накопительного кольца и экспериментальных станций.
Следующим этапом станет настройка инжекции электронов в накопительное кольцо. После этого специалисты должны будут вывести весь комплекс на стабильный режим работы.
По заявленным данным, яркость и когерентность мягкого рентгеновского излучения HALF более чем в 100 раз превзойдут показатели синхротронных источников третьего поколения. Это позволит проводить эксперименты с более высокой пространственной, временной и энергетической точностью.
Исследователи смогут изучать микроскопическое поведение частиц, структуру легких элементов, а также электронные, химические и спиновые состояния различных материалов.
После завершения строительства HALF должен стать одним из наиболее передовых в мире синхротронных источников четвертого поколения в низкоэнергетическом диапазоне. Установку планируют использовать в материаловедении, энергетике и науках о жизни.
Среди потенциальных направлений — исследования высокотемпературной сверхпроводимости, аккумуляторов нового поколения, аэрокосмических технологий, биомедицины и перспективных материалов.
© iXBT
