К началу 2025 года Intel освоит техпроцесс 18A с новой структурой транзисторов
Мероприятие Intel Accelerated имело судьбоносное значение для компании, поскольку ознаменовало собой «деноминацию» техпроцессов. Ближайшая стадия 10-нм техпроцесса (Enhanced SuperFin) в его прежнем выражении получила обозначение «Intel 7», с её помощью осенью этого года начнут выпускаться потребительские процессоры Alder Lake, а в первом квартале следующего года к ним присоединятся серверные процессоры Sapphire Rapids.
Казалось бы, на слайде с описанием последовательности техпроцессов Intel не стала наносить вехи на шкале времени, оставляя себе пространство для отступления, но в тексте пресс-релиза основные этапы технологической миграции обозначены достаточно чётко. В частности, прежний 7-нм техпроцесс получит обозначение «Intel 4», впервые обеспечивая применение литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) силами этой компании. Удельная производительность транзисторов в пересчёте на потребляемый ватт должна увеличиться на 20% по сравнению с Intel 7, заодно увеличится плотность размещения транзисторов. Первые продукты с использованием технологии Intel 4 пойдут в серию в 2023 году, это будут потребительские процессоры Meteor Lake и серверные Granite Rapids.
Intel 3, по всей видимости, станет ответом на 3-нм техпроцессы конкурентов. Он продолжит совершенствовать структуру транзисторов FinFET и расширит применение EUV-литографии, чтобы увеличить удельную производительность на ватт на 18% по сравнению с предшественником. Массовое производство компонентов с использованием этой технологии начнётся уже во второй половине 2023 года, их имена пока не уточняются. Напомним, что TSMC свой 3-нм техпроцесс поставит на конвейер годом ранее.
Техпроцесс Intel 20A символизирует переход компании на измерение технологических норм в ангстремах — десятых долях нанометра. По сути, он символизирует собой альтернативу 2-нм технологии конкурентов. Структура транзисторов с окружающим затвором (GAA) в интерпретации Intel получила обозначение RibbonFET. Добавим, что и TSMC внедрение GAA задержала до 2-нм технологии, поэтому Intel пытается добиться некоторой синхронизации технологического прогресса среди лидеров отрасли. Технология PowerVia позволит подвести питание к обратной стороне кристалла, она тоже впервые будет применяться в рамках техпроцесса 20A. На конвейер эта технология будет поставлена в 2024 году.
Для техпроцесса 18A на слайде Intel не нашлось места, но его компания рассчитывает освоить к началу 2025 года. К структуре транзисторов RibbonFET, которая будет усовершенствована сама по себе, добавится EUV-литография с высокой числовой апертурой. В последнем случае Intel намеревается опередить конкурентов, первой среди клиентов ASML получив доступ к соответствующему литографическому оборудованию.
