К 2023 году TSMC научится делать многокристальные решения с 12 стеками памяти HBM
В августе прошлого года компания TSMC продемонстрировала прототип двухкристального процессора с восемью стеками памяти типа HBM. Площадь кремниевой подложки такого изделия приближалась к 2500 кв.мм, предполагается, что в будущем TSMC сможет предложить клиентам услуги по выпуску продуктов со сложной пространственной компоновкой. Сайт DigiTimes сообщает, что к 2023 году технология CoWoS, возможности которой продемонстрированы на иллюстрации, достигнет в своём развитии шестого поколения.
Помимо нескольких кристаллов с высокопроизводительными процессорами, один кремниевый мост шестого поколения сможет приютить до двенадцати стеков памяти типа HBM. Естественно, имеется в виду актуальное в 2023 году поколение памяти, а не первое, которое обходилось без цифрового индекса в обозначении.