Исследователи создали энергонезависимую память, потребляющую при записи в 100 раз меньше энергии
Британские учёные (да, они!) из Университета Ланкастера успешно создали новый тип энергонезависимой памяти, которая столь же быстра, как DRAM, но потребляет лишь 1% от той энергии, что необходимо современной памяти NAND или DRAM, для записи одного бита.
Новая память получила кодовое название UK III-V Memory. Римские цифры в названии означают периоды в таблице Менделеева, в которые входят применяемые вместо традиционного кремния материалы. В первую очередь, это In, Ga и As.
Транзистор памяти UK III-V
Чтобы запитать затвор транзистора такой памяти памяти, изготовленной по 20 нм техпроцессу, нужен заряд от 10 Дж до 17 Дж. Память UK III-V находится в нормально закрытом состоянии, заряд затвора занимает 5 нс, а разрядка — 3 нс, что является отличными показателями. Конечно, при работе такой памяти с контроллером время записи не будет таким маленьким, но всё же оно будет близким к значениям для современной памяти.
Пока разработка находится в самом начале. Речь идёт о масштабах одного транзистора, так что до создания микросхем памяти ещё очень далеко.
