Intel разработала технологию выпуска встраиваемой MRAM в рамках 22-нм техпроцесса
Магниторезистивная память MRAM рассматривается в качестве перспективной для замены не только NAND-флеш, но также в качестве альтернативы для памяти типа SRAM. Она достаточно устойчива к износу, довольно быстрая и, к тому же, энергонезависимая. Все крупные производители полупроводников так или иначе вовлечены в разработку техпроцессов для выпуска встраиваемой MRAM. Тем же самым, как выяснилось, занимается и компания Intel.
На конференции IEDM 2018 представители Intel рассказали о выпуске опытного 7,2-Мбит массива встроенной MRAM с использованием 22-нм техпроцесса FinFET Low Power, который оптимизирован для выпуска логики. Туннельный переход magnetic tunnel junction (MTJ) компания встроила между вторым и четвёртым слоем металлизации (M2 и M4). Упрощённо — это барьер из оксида магния заключённый между двумя слоями магнитного материала, один из которых имеет фиксированную намагниченность, а другой — свободную (он-то и несёт информацию о записи в ячейку 0 или 1).
Правда, площадь опытной 22-нм ячейки MRAM компании Intel оказалась больше площади ячейки MRAM компании Samsung, выполненной в 28-нм техпроцессе. Ячейка Intel вышла площадью 0,0486 мкм2, а ячейка Samsung — 0,0364 мкм2. Зато, повторим, Intel может встраивать ячейки (переходы) прямо в существующую логику (процессоры), что открывает путь к интересным решениям. Заявленная устойчивость к износу, кстати, составляет 10 млн циклов перезаписи, а данные в ячейке сохраняются до 10 лет в температурном окружении 210 градусов по Цельсию.
