Intel пояснила, почему не сочетает High-NA EUV и технологию Intel 18A
Чтобы рисковать как можно меньше при смене техпроцесса.
Подробный рассказ о планах Intel в технологической сфере намечен на 21 февраля, но на минувшей квартальной отчётной конференции генеральному директору Патрику Гелсингеру (Patrick Gelsinger) тоже пришлось ответить на ряд вопросов, затрагивающих прогресс в сфере литографии. В частности, глава компании пояснил, почему она не будет использовать оборудование для свержёсткой ультрафиолетовой литографии с высоким значением числовой апертуры (High-NA EUV) в рамках техпроцесса Intel 18A, который к 2025 году станет самой продвинутой ступенью литографии по меркам этого производителя.
Источник изображения: Intel
В рамках технологий Intel 20A и 18A компания внедрит подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины, но глава компании признался, что в рамках эксперимента подобное нововведение обкатывалось ещё на технологии Intel 3. Тем не менее, это не значит, что в массовом производстве подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины будет реализован ранее, чем Intel освоит техпроцесс 20A.
В рамках технологии Intel 18A добавляется ещё одно нововведение — структура транзисторов с окружающим затвором (GAA). При этом специалистам компании уже удалось убедиться, что подвод питания с оборотной стороны пластины нормально себя зарекомендовал применительно к условиям производства по технологии Intel 18A, и он уже не представлял риска, поэтому все усилия были сосредоточены на внедрении GAA.
Компания предпочитает поэтапно вводить новшества, чтобы не рисковать слишком сильно в рамках одной ступени литографии. По этой причине даже с учётом использования сканера для High-NA EUV на уровне экспериментов именно в рамках технологии Intel 18A, в серийном производстве подобное оборудование будет применяться уже на последующих техпроцессах, которые заменят собой Intel 18A в будущем.
