Intel и ITRI планирует сверхэффективную и быструю память для будущих устройств
Одним из наиболее перспективных направлений повышения быстродействия для компьютеров наряду с совершенствованием центральных и графических процессоров является внедрение новейших технологий в области памяти. Мы уже писали о разрабатываемом в настоящее время JEDEC новом стандарте оперативной памяти DDR4, который сможет предложить гораздо более высокие частоты и соответственно лучшую производительность по сравнению с наиболее распространенной сейчас памятью DDR3. Свое видение будущего системной памяти есть и у такого IT гиганта, как корпорация Intel, недавно официально объявившей о партнерстве с рядом тайваньских организаций.
Среди целого ряда соглашений с ведущими тайваньскими правительственными, промышленными и университетскими структурами стоит отметить научное партнерство, сформированное сотрудниками лабораторий Intel и Тайваньского института индустриальных технологий (Taiwan Industrial Technology Research Institute, ITRI). В рамках данного партнерства, как заявлено, первоначально планируется сфокусироваться на инновационных технологиях в области памяти для будущих ультрамобильных устройств и “облачных” вычислительных систем, включая дата-центры.
Совместными усилиями исследователи Intel и ITRI хотят создать память нового типа, которая, как сообщается, будет не только очень быстрой, но и на порядок или даже два более энергоэффективной по сравнению с существующими аналогами. Последняя характеристика особенно важна в мире портативной электроники, к примеру, в смартфонах, планшетах и тех же ультрабуках, поскольку от нее напрямую зависит время автономной работы этих устройств. Добиться этого планируется, сократив путь прохождения данных от CPU до памяти и обратно путем пакетирования последней непосредственно в верхней части процессора, снижая тем самым энергопотребление.
© Ferra.ru
