Компания Intel показала общественности первые в мире 22-нанометровые микросхемы
Генеральный директор и президент корпорации Intel Пол Отеллини (Paul Otellini) продемонстрировал образцы микросхем, изготовленных согласно нормам 22-нанометрового технологического процесса.С 22 по 24 сентября в Сан-Франциско проходит Форум Intel для разработчиков (Intel Developer Forum, IDF). Именно на этом мероприятии в день открытия и состоялась демонстрация микросхем.
В чипах, анонсированных спустя два года после освоения 32-нм технологического процесса, реализовано третье поколение технологии Hi-K с металлическим затвором. Работоспособность 22-нанометровой технологии, пригодность нового производственного процесса и надежность продуктов тестируются на модулях памяти SRAM.
Только после достижения успеха с этими изделиями по новой технологии Intel перейдет к выпуску процессоров нового поколения.
Тестовые микросхемы, выпущенные с соблюдением норм 22 нм представляют собой память SRAM и логические модули. SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 кв.мкм функционируют в составе массивов по 364 млн. бит.
На образце размером с ноготь человека размещено 2,9 млрд. транзисторов при плотности примерно вдвое выше, чем в чипах, изготовленных в соответствии с 32-нанометровой технологией.
