Intel заявила о готовности к производству по 14-нм техпроцессу
Intel раскрыла планы по переходу к производству процессоров и SoC (система на кристалле) по 14-нм техпроцессу к концу 2013 года, а также о начале ведения научно-исследовательских разработок по техпроцессам 10нм и ниже с 2015 года, сообщает Digitimes.
Выступая на форуме Intel Developer Forum (IDF) в Сан-Франциско, старший научный сотрудник компании Марк Бор представил перспективный план, демонстрирующий всё ещё занимаемое Intel лидирующее положение в области технологии процесса производства полупроводников.
Intel сообщила, что начало производства процессорных узлов под кодовыми наименованиями P1272 и P1273, выполненных по 14-нм техпроцессу, запланировано на конец 2013 года. Вендор добавил, что продолжит активные инвестиции в производство интегральных схем D1X в Орегоне, производство Fab 42 в Аризоне и производство Fab24 в Ирландии.
Ранее Intel подтверждала инвестиции в три производства по техпроцессу 14нм и ниже.
В дополнение к этому, научно-исследовательские разработки по 10-нм, 7-нм и 5-нм техпроцессам начнутся согласно плану с 2015 года, отметили в Intel.
В мае 2011 года Intel объявила о своих трёхмерных транзисторах Tri-Gate (с тремя затворами), важном научном открытии, позволяющем чипам работать под более низким напряжением и с меньшим током утечки, при этом обеспечивая более высокую производительность и энергоэффективность по сравнению с предыдущими моделями транзисторов. Новые транзисторы используются в семействе процессоров Intel Core на основе Ivy Bridge, массовое производство которых началось ближе к концу 2011 года.
© @Astera
