Инсайды #3038: Galaxy S23 FE, Android 14 и будущий флагман realme

В этом выпуске Инсайдов: Galaxy S23 FE получит разогнанный Exynos 2200; в Android 14 станет в два раза больше горячих клавиш; будущий флагман realme оснастят Snapdragon 8 Gen 2.

Galaxy S23 FE получит разогнанный Exynos 2200

Инсайдер @RGcloudS сообщил, что пока не представленный Galaxy S23 FE получит разогнанный процессор Exynos 2200. Но несмотря на идентичность наименования с чипом, на котором работала серия S22, сам процессор будет немного другим. Для объяснения различий инсайдер привёл данные с производства Samsung и Qualcomm. 

Samsung Galaxy S23 FE

В 2022 году процент прошедшего обработку «кремния» при техпроцессах 4LPE (4 нм) и 4LPX (5 нм) при производстве Exynos 2200 составлял 20%, при производстве 8 Gen 1 — 35%. Сейчас, как утверждает инсайдер, 4-нанометровый техпроцесс значительно улучшен, Exynos 2200 текущего года лучше, чем Snapdragon 8 Gen 1, и «почти соответствует» 8+ Gen 1.

Дата релиза S23 FE пока не объявлена, но по предварительной информации, массовое производство смартфона начнётся в августе.

В Android 14 станет в два раза больше сочетаний клавиш

Инсайдер Мишал Рахман нашёл в последней бета-версии Android 14 новые сочетания клавиш. Они будут доступны на устройствах с большими экранами после подключения физической клавиатуры. На смартфонах (или после активации соответствующего dpi) горячих клавиш «гораздо меньше». Всего инсайдер отыскал 29 сочетаний, тогда как в 13-й версии их 13.

  • as6yu1vOz0FIx7uxyB6OQUFFJIqneUK.jpg
  • as6yub1Fu65VTX4SRkSmz2SXuGnuz2wk.jpgСочетания на смартфоне

Будущий флагман realme оснастят Snapdragon 8 Gen 2

Инсайдер Digital Chat Station рассказал о характеристиках будущего флагманского смартфона realme без упоминания его названия. Вероятно, речь идёт о GT Neo6 (GT 4). Если это так, то новинку оснастят OLED-матрицей неизвестного размера с разрешением 1,5K+ и частотой обновления 144 Гц. При этом значение ШИМ составит 2160 Гц.

realme GT Neo6realme GT Neo5 (GT 3)

За производительность будет отвечать Qualcomm Snapdragon 8 Gen 2 с ОЗУ LPDDR5x. Также известно о внутренней памяти UFS 4.0, 100-ваттной зарядке и тонких рамках дисплея. Ранее в сети появилась информация, что смартфон получит 50-мегапиксельную камеру с OIS.

Дата релиза пока неизвестна.

Источник:  4pda.to


©  4PDA