Информацию будут хранить в антиферромагнитных материалах
Поскольку информации с каждым годом становится все больше, устройства для ее хранения должны, наоборот, становиться все меньше и при этом вместительнее. Однако обычная кремневая электроника уже приближается к пределу своих физических возможностей по сохранению информации. Одной из возможных альтернатив является спинтроника, и в особенности антиферромагнитные материалы. Для хранения информации в данном случае используются не только сами атомы, но и их спины, что позволяет сохранить в два раза больше информации в том же объеме.
До сих пор эта альтернатива была теоретической, поскольку до конца не было ясно, можно ли вообще сохранить информацию на антиферромагнитных материалах с помощью электричества. Однако ученые из университета Майнца вместе с коллегами из Университета Тохоку смогли решить эту проблему.
По словам одного из авторов исследования, доктора Лоренцо Бальдрати, им удалось не только показать принципиальную возможность, но также еще измерить продуктивность электрической записи данных в изолированных антиферромагнитных материалах.
Для того, чтобы провести эти измерения, ученые использовали в качестве изолятора оксид кобальта CoO. В результате выяснилось, что электричество я манипуляции с антиферромагнитными материалами однозначно эффективнее, чем магнитное поле. И этот результат открывает путь для практического использования антиферромагнитных материалов в совершенно различных устройствах — от смарт-карт до супербыстрых компьютеров — благодаря их убедительным преимуществам.
