HP "докопалась" до сути мемристоров
Исследователям из компании Hewlett-Packard удалось совершить небольшой прорыв в технологии устройств памяти следующего поколения, известных как мемристоры. Этот тип памяти считается потенциальной заменой в будущем таким широко известным технологиям, как флеш и DRAM. Мемристоры являются пассивными элементами микросхем наряду с резисторами, конденсаторами и катушками индуктивности. Теоретически мемристоры были предсказаны ещё в 1971 году профессором Калифорнийского университета в Беркли Леоном Чуа (Leon Chua), но лабораторный образец мемристора впервые был создан только в 2008 году. В статье, опубликованной в авторитетном научном издании «Нанотехнологии», ученые заявили, что им удалось, наконец, установить, какие процессы происходят в структуре мемристоров при прохождении через них электрического тока, а также химическую основу всего этого. Ранее, несмотря на то, что опытные образцы мемристоров уже функционировали и даже сообщались планы начала...© 3DNews
