HBM4E будет использовать 20-ярусные стеки памяти и появится в 2028 году
SK hynix над этим уже работает.
Южнокорейская компания SK hynix остаётся крупнейшим поставщиком памяти семейства HBM, а потому может задавать тенденции в её дальнейшем развитии. Как сообщает TrendForce со ссылкой на различные азиатские СМИ, осваиваемые сейчас SK hynix методы формирования стеков памяти HBM позволят к 2026 году наладить выпуск 16-ярусных чипов HBM4, но при этом высота чипа не должна превышать 0,775 мм.
Источник изображения: SK hynix
Если клиенты компании в дальнейшем пожелают объединять в одном стеке более 20 слоёв, то SK hynix будет вынуждена искать какие-то новые методы упаковки памяти. Существующие ещё позволят после определённой подготовки нарастить количество слоёв в стеке до 20 штук, и HBM4E к 2028 году как раз воспользуется данной технологической возможностью. При изготовлении каждого слоя памяти SK hynix к тому времени начнёт использовать новейшее поколение техпроцесса 10-нм класса (1c). Отдельное внимание будет уделяться эволюции технологий вертикального соединения слоёв HBM. В этой сфере скорость передачи информации должна сопутствовать с компактной высотой стека и оптимальными условиями отвода тепла.
