Графен и дисульфид молибдена существенно облагородят флеш-память
Схема нового элемента памяти. (Здесь и ниже иллюстрации Andras Kis et al.) Исследователи из Федеральной политехнической школы Лозанны (Швейцария) под руководством Андреса Киса использовали одно- и многоатомные слои углерода (графен) и дисульфида молибдена для объединения с традиционными электронными компонентами в прототипе устройства флеш-памяти. Зачем?
© Ноосфера
