Globalfoundries предлагает встраивать память eMRAM в 22-нанометровые микросхемы
Энергонезависимая магниторезистивная память постепенно прокладывает себе дорогу в электронные устройства. Компания Globalfoundries сообщила о возможности интегрировать встраиваемую память eMRAM в микросхемы, выпускаемые по 22-нанометровой технологии 22FDX (FD-SOI).
Память eMRAM по скорости записи и долговечности в 1000 раз превосходит современную энергонезависимую память. Ячейки, изготовленные по технологии 22FDX, сохраняют данные при температуре 260°C, то есть микросхемы смогут выдерживать пайку и эксплуатацию в промышленном диапазоне температур.
Встроенная память eMRAM может использоваться как для хранения программы, так и в качестве оперативной памяти, заменяя одновременно флэш-память и память SRAM. Высокая энергетическая эффективность FDX и eMRAM, вкупе с возможностью интеграции радиочастотных цепей делают 22FDX идеальной платформой для элементной базы устройств IoT с батарейным питанием. Другой приоритетной областью применения 22FDX назван выпуск микроконтроллеров для автомобилей.
Изготовление прототипов по сторонним заказам станет доступно в 2017 году, а серийный выпуск микросхем с eMRAM по технологии 22FDX в Globalfoundries рассчитывают развернуть в 2018 году.
Источник: Globalfoundries
Теги:
Globalfoundries
, MRAM
Комментировать
© iXBT
