Globalfoundries улучает 55-нанометровый техпроцесс LPe 1V
Компания Globalfoundries объявила о внесении дополнительных улучшений в 55-нанометровый техпроцесс, оптимизированный по критерию энергопотребления (Low-Power Enhanced, LPe 1V). Теперь разработчики могут использовать при проектировании однокристальных систем, рассчитанных на выпуск по одному техпроцессу, IP-ядра памяти и логических блоков из библиотеки ARM 1.0V и 1.2V. По словам Globalfoundries, 55nm LPe 1V - первый и пока единственный техпроцесс, позволяющий проектировать однокристальные системы с использованием блоков, рассчитанных на разные напряжения питания.
Будучи построено на использовании компиляторов стандартных логических ячеек и ячеек памяти ARM 1.0V/1.2V, проектирование под техпроцесс Globalfoundries 55nm LPe 1V дает возможность оптимизировать системы по быстродействию, потребляемой мощности или площади кристалла.
Ключевое преимущество 55nm LPe 1V, по словам Globalfoundries, заключается в возможности использовать одни и те же библиотеки, вне зависимости от того, ведется проектирование под напряжение питания 1,0 В или 1,2 В. Это означает, что можно использовать один и тот же набор правил проектирования и моделей, без необходимости в дополнительном маскирующем слое или этапе техпроцесса. В результате снижается стоимость проекта и обеспечивается повышенная гибкость без компромиссов по части производительности и энергопотребления.
Как утверждается, техпроцесс 55nm LPe 1V особенно хорошо подходит для массовых микросхем, предназначенных для мобильных потребительских устройств.
Источник: Globalfoundries
#vk© iXBT
