Galaxy S11 может базироваться на 5-нм SoC. Samsung рассекретила 3-нанометровую технологию
Компания Samsung Electronics раскрыла подробности о своих планах по разработке будущих мобильных процессорных технологий. Она объявила, что 3-нанометровый процесс 3GAE (3 нм Gate-All-Around) версии 0,1 уже готов.
Технология GAA (Gate All Around) находится в разработке ещё с 2000 года. Транзисторы GAA имеют четыре затвора, что позволяет преодолеть физические ограничения по масштабированию. Компания Samsung разрабатывает собственный вариант GAA, получивший обозначение MBCFET (multi-bridge-channel FET), отличающийся множеством наностаничных каналов в вертикальных FET-затворах. По сравнению с FinFET технология MBCFET предоставляет большую гибкость по регулировки числа страниц (каналов).
По сравнению с 7-нанометровой технологией, техпроцесс 3GAE обещает уменьшение на 45% размера чипа, на 50% снижение потребления энергии и или на 35% повышенную производительность.
Техпроцесс на базе GAA должен найти широкое применение в следующем поколении мобильных устройств, сетевых устройствах, автомобильных решениях и гаджетах «Интернета вещей».
Компания отметила, что 5-нанометровый техпроцесс FinFET был доработан в апреле. Планируется завершение разработки во второй половине года, а начало массового производства — в первой половине 2020 года.
© iXBT
