Ферроэлектрическая память Fujitsu V работает при напряжении питания от 3,0 до 5,5 В
Компания Fujitsu Semiconductor America (FSA) расширила ассортимент энергонезависимой ферроэлектрической памяти с произвольным доступом (FRAM) серией изделий, рассчитанных на напряжение питания 3,0-5,5 В. По мнению производителя, такой широкий диапазон допустимых напряжений питания упрощает использование памяти и позволяет использовать одни и те же микросхемы в устройствах с разными напряжениями питания. Память серии V предназначена для потребительской и промышленной электроники.
В состав серии вошли микросхемы плотностью от 16 до 256 Кбит, оснащенные интерфейсами I2C и SPI. Первые две модели - MB85RC16V и MB85RC64V - уже доступны в серийных количествах. Они оснащены последовательным интерфейсом I2C, работают на частоте 400 кГц и имеют плотность 16 и 64 Кбит соответственно.
К достоинствам моделей серии V компания относит высокую надежность и долговечность. Память выдерживает 1012 циклов перезаписи и может хранить записанную информацию в течение 10 лет при температуре +85°C. Производитель гарантирует работоспособность микросхем в диапазоне температур от -40°С до +85°С. В середине года Fujitsu обещает выпустить третью модель - MB85RS64V, которая будет иметь плотность 64 Кбит, также оснащенную интерфейсом SPI. Модели плотностью 256 Кбит с интерфейсами I2C и SPI также должны появиться в течение года. Все микросхемы серии V выпускаются в пластиковых корпусах типа SOP с восемью выводами.
Источник: FSA
#vk© iXBT
