Будущее flash-памяти связано с переходом на графеновые транзисторы
Группа ученых из Университета Райса (г. Хьюстон, США) доложила об успешных испытаниях ячеек памяти на основе графеновых транзисторов. Материал графен был впервые выделен в 2005 году в ходе экспериментов с частицами углерода. С тех пор он считается одним из самых перспективных преемников классической кремниевой микроэлектроники.Исследователи Джеймс Тур (James Tour)...[подробнее]
