Энергонезависимая память от компании ARM
Крупный разработчик процессорных систем, компания ARM Holdings, всерьез заинтересовался разработкой энергонезависимой памяти. Напомним, что, теоретически, такие микросхемы должны иметь намного более высокие показатели производительности и масштабируемости в сравнении с привычной нам флеш-памятью.Новое поколение ОЗУ получило название CeRAM (приставку можно перевести как «коррелированый электрон»), которое ему дала компания Symetrix, активно занимающаяся разработками в этой области. Кроме того, к исследованиям CeRAM привлечены университеты Колорадо и Техаса.
Еще одним актуальной разработкой стала память ReRAM (резистивная). Вообще, необходимость создания нового принципа организации ОЗУ обусловлена тем, что привычная флеш-технология постепенно начинать изживать себя. То есть в скором времени компаниям придется разрабатывать платы по технологическому процессу в 10 нм, что практически не представляется возможным даже с учетом современного оборудования. Ключевыми особенностями CeRAM должны стать высочайшая скорость переключения между ячейками (всего несколько фемтосекунд), а также возможность работы даже при нагреве микросхемы до 400 градусов по Цельсию!
